六大核心特点
无损伤冷加工 · 高精度自动化 · 标准化量产适配
无损伤冷加工工艺
355nm皮秒紫外激光光化学刻蚀，热影响区极低，杜绝热灼伤、微裂纹、粉尘残留，高度适配SiC、GaN等脆性第三代半导体晶圆。
双工艺全场景适配
Soft Mark软打标+Deep Mark深刻两大核心工艺，适配抛光片、外延片、研磨片、带保护膜晶圆，标记耐腐蚀、耐高温烘烤。
高精度自动化定位
CCD同轴视觉系统+AI智能识别算法，自动寻边、缺口对位，定位精度最高可达±30μm，打标一致性好。
标准化量产适配
兼容SEMI国际标准码型，支持SECS/GEM协议无缝对接MES，适配Class1/Class10高等级洁净车间。
国产化高性价比
对比进口设备交付周期短、本土化极速维保、运维成本低，码型与InnoLas设备通用适配，可平滑替代。
全尺寸多材质兼容
覆盖2-12英寸全规格晶圆，兼容硅片、碳化硅、氮化镓、蓝宝石、铌酸锂等衬底，研发打样到大规模量产全覆盖。
设备机型分类
实验室研发到量产产线，按需选型
半自动机型
实验室 / 小批量专用
- 手动上片模式，搭配CCD视觉对位系统
- 支持2~8英寸晶圆
- 适用于产品研发、样品打样、小批量试产
全自动量产机型（FOUP盒式）
洁净车间量产产线
- 全自动机械手+FOUP晶圆盒自动上下料
- 支持4/6/8/12英寸全尺寸晶圆
- 支持正面、背面及带保护膜Tape Mark打标
核心激光工艺
355nm皮秒紫外冷激光 · 双打标工艺按需切换
Soft Mark 软打标
通过浅表层改性实现标识，不破坏晶圆抛光面，可兼容后续镀膜、研磨、高温制程。标记层耐酸碱清洗、耐高温烘烤，稳定性极强。
Deep Mark 深刻打标
深层永久性标识刻印，适配研磨片、厚衬底等对标记深度有要求的晶圆品类，标记永久不可篡改。
设备关键规格参数
支持打标码型：SEMI OCR 点阵字符 / SEMI BC412 条形码 / SEMI T7 Data Matrix 二维码 / Fiducial 定位标记
| 激光光源 | 355nm 皮秒紫外激光（冷加工） |
|---|---|
| 打标形式 | 软打标（Soft Mark）/ 深刻（Deep Mark） |
| Wafer 加工尺寸 | 2" - 12" 全规格 |
| 适配材料 | Si 硅片 / SiC 碳化硅 / GaN 氮化镓 / 蓝宝石 / LiNbO₃ / GaAs |
| 适配表面 | 抛光片 / 外延片EPI / 研磨片 / As-cut裸片 / 带蓝膜·保护膜晶圆 |
| 打标速度 | ≤7000mm/s |
| 视觉系统 | CCD同轴视觉，AI自动寻边、晶圆缺口精准定位 |
| 定位精度 | 高精度版本可达 ±30μm |
| 字体标准 | SEMI 字体 |
| 产能节拍 | ≥100片/小时 |
| 洁净适配 | Class1 / Class10 高等级洁净室 |
| 通讯协议 | SECS/GEM，可对接工厂MES；支持单机独立运行 |
| 选配功能 | OCR读码复检、晶圆测厚、真空机械手、除尘模组、晶圆翻转机构（正反面打标） |
典型应用场景
晶圆唯一ID全程追溯，满足车规级、工业级品质管控要求
功率器件 / 第三代半导体
SiC IGBT、GaN器件晶圆标识，脆性衬底无损伤冷加工，保障良率。
MEMS 传感器
微小结构件晶圆级标识，软打标不伤功能结构。
光电子器件
化合物衬底晶圆标识，适配铌酸锂、砷化镓等材料。
先进封装 Chiplet
全流程追溯编码，对接MES实现芯片全链路品质升级。
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